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J-GLOBAL ID：201502202145647365   整理番号：15A1310191

シェルドーピングプロファイルが無接合FETの電気的特性に及ぼす影響

Impacts of the Shell Doping Profile on the Electrical Characteristics of Junctionless FETs

著者 (5件)： KUMAR Malkundi P.V. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HU Chia-Ying (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  KAO Kuo-Hsing (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Yao-Jen (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Tien-Sheng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 11  ページ： 3541-3546  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 素子寸法スケーリングにより,接合深さは短チャネル効果による漏洩電流に影響する重要パラメータとなった。ナノ構造無接合マルチゲートFETも,サブ閾値スイング改善の有用手法である。本論文は,シェルドーピングプロファイル(SDP)の,無接合FETに対するこれら悪影響軽減効果を数値シミュレーションにより示した。提案したSDPを備えた無接合FETに対し,ゲートへのドーパント近接性は低いOFF電流とより良好なゲート制御を確保した。ナノワイヤ直径添いのポテンシャルミラーリング効果は,接合深さは5nm以下であるが直列抵抗の軽減を説明する。ON電流に関するペナルティは,シミュレーションによると深さが2nm以下の時にだけ観察された。通常の無接合FETおよびMOSFETと比べて,SDP-無接合FETは低いOFF電流と電気的特性変動の少なさを示した。SDPには付加的プロセスは不要であり,大規模直列抵抗と量子閉込めを回避するための新しい素子パラメータが提供できる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *短チャネル効果 ,  漏れ電流 ,  接合形FET ,  *不純物分布 ,  ドーパント ,  スケール則 ,  ゲート【半導体】 ,  シェル ,  ナノワイヤ ,  計算機シミュレーション ,  電気抵抗 ,  電気的性質 ,  量子閉込め ,  半導体プロセス ,  性能指数
準シソーラス用語： *マルチゲートFET ,  *ドーピングプロファイル ,  シリコンナノワイヤ ,  数値シミュレーション ,  直列抵抗 ,  サブ閾値スイング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： シェル ,  ドーピングプロファイル ,  無接合FET ,  電気的特性