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J-GLOBAL ID：201502202166992348   整理番号：15A1085980

H-Si結合によって誘起されるシリセンの異常な電子的性質 水素濃度を特定する方法

H-Si bonding-induced unusual electronic properties of silicene: a method to identify hydrogen concentration

著者 (5件)： LIN Shih-Yang (Dep. of Physics, National Cheng Kung Univ., 701 Tainan, Taiwan. [e-mail]) ,  CHANG Shen-Lin ,  THUY TRAN Ngoc Thanh ,  YANG Po-Hua ,  LIN Ming-Fa
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 39  ページ： 26443-26450  発行年： 2015年10月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化シリセンは第一原理計算を用いた検討によって明らかにされたように強いH-Si結合に起因して特異な性質を備えている。さまざまな電荷分布,結合長,エネルギー帯および状態密度が異なる水素構成および濃度に依存する。強いH-Si結合と弱いsp³混成との競争が電子的性質を支配する。肘掛け椅子配置は半導体に属し,上部配置はFermi準位におけるほぼ無分散のエネルギー帯を示す。どちらの系も中央エネルギーにおけるH-関連の部分的に平坦なバンドと濃度の低下時の低エネルギーπバンドの回復を示した。それらの状態密度は中央エネルギーに明瞭なピークを示し,上部系はE=0にδ-関数のようなピークを有した。これらのピークの強度は濃度が減少すると次第に弱くなり,走査型トンネル分光法実験においてH-濃度を特定する効果的な方法が得られた。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ケイ素 ,  化学結合 ,  *電子構造 ,  濃度 ,  水素 ,  立体配座 ,  *ナノ構造 ,  *単一層
準シソーラス用語： シリセン ,  Si-H結合 ,  水素濃度

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  誘起 ,  シリセン ,  電子 ,  性質 ,  水素濃度