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J-GLOBAL ID：201502202217687391   整理番号：15A1259116

化学的に改良したIn₂O₃(ZnO)₉自然超格子界面のKapitza抵抗及び電子ポテンシャル障壁の顕著な増大

Remarkable enhancement in the Kapitza resistance and electron potential barrier of chemically modified In₂O₃(ZnO)₉ natural superlattice interfaces

著者 (1件)： LIANG Xin (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 44  ページ： 29655-29660  発行年： 2015年11月28日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超格子界面はフォノンを効果的に散乱し,低エネルギー電子をフィルターに掛けることができ,それにより結晶性固体の「合金限界」に対し熱伝導率を低下させSeebeck係数を大幅に高める。本稿では,アルミニウムの少量添加によって界面を化学的に修飾することで既存のIn₂O₃(ZnO)₉超格子の熱伝導率の二倍の低下とSeebeck係数の約170%の改良を報告した。界面輸送の古典的モデルを用いて,この顕著な変化はAl³⁺で修飾したInO₂^-超格子界面のKapitza(熱)抵抗と電子ポテンシャル障壁高さの両方の増加に起因するとした。本研究により超格子界面が特異な性質のために化学的に調節できることを示す研究の新たな道が開かれた。これは実験的にも計算でも研究できる。また熱電のような領域での応用なための材料設計のための新しいルートも示している。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *金属酸化物 ,  *超格子 ,  界面 ,  *Kapitza抵抗 ,  *ポテンシャル障壁 ,  輸送係数 ,  熱伝導率 ,  材料設計 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： *超格子構造 ,  Seebeck係数 ,  HRTEM

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学 ,  ZnO ,  超格子 ,  界面 ,  Kapitza抵抗 ,  電子 ,  ポテンシャル障壁