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J-GLOBAL ID：201502202245461625   整理番号：15A0905940

ねじれナノワイヤから成るCdSの単離マイクロロープの電気的輸送特性

Electrical transport properties of an isolated CdS microrope composed of twisted nanowires

著者 (11件)： YU Gui-Feng (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  YU Gui-Feng (Qingdao Agricultural Univ., Qingdao, CHN) ,  YU Miao (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  YU Miao (Columbia Univ., NY, USA) ,  PAN Wei (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  PAN Wei (Qingdao Agricultural Univ., Qingdao, CHN) ,  HAN Wen-Peng (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  YAN Xu (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  ZHANG Jun-Cheng (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  ZHANG Hong-Di (Qingdao Univ., Qingdao, CHN) ,  LONG Yun-Ze (Qingdao Univ., Qingdao, CHN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:21 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSは,重要なII-VI族半導体である。本論文では,ねじれナノワイヤから成る個々のCdSマイクロロープの電気的輸送挙動を検討した。電流-電圧(I-V)特性では,360Kから60Kの領域で,2つの明瞭なべき乗則を示すことが分かった。空間電荷制限電流(SCLC)理論を利用して,これらの温度依存や電場依存のI-V曲線を説明した。I-Vデータは,100K以上ではSCLC理論で良好に近似できた。キャリア移動度,トラップエネルギー,トラップ密度なども得た。しかし,I-Vデータは,80K以下ではCoulomb遮断効果を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  マイクロマシニング ,  線状体 ,  単離 ,  *ナノワイヤ ,  ねじり ,  *エレクトロトランスポート ,  輸送現象 ,  半導体薄膜 ,  空間電荷制限電流 ,  化合物半導体 ,  電流電圧特性 ,  法則 ,  温度依存性 ,  依存性 ,  電場 ,  キャリア移動度 ,  捕獲中心 ,  密度 ,  キャリア捕獲 ,  Coulomb相互作用
準シソーラス用語： II-VI族半導体 ,  トラップ密度 ,  べき乗則 ,  電場依存性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ねじれ ,  ナノワイヤ ,  CdS ,  単離 ,  ロープ ,  電気的輸送