文献
J-GLOBAL ID:201502202245659263   整理番号:15A1170017

メサパターン化シリコン基板上の高反射率分布Bragg反射器を有する窒化物系発光ダイオードの成長

Growth of nitride-based light emitting diodes with a high-reflectivity distributed Bragg reflector on mesa-patterned silicon substrate
著者 (10件):
資料名:
巻: 212  号: 10  ページ: 2297-2301  発行年: 2015年10月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
メサパターン化シリコン基板上に成長させ電気光学特性が改善した(Ga,In)N/GaN多重量子井戸青色発光ダイオード(LEDs)について示した。高反射率AlN/(Al,Ga)N分布Bragg反射器(DBRs)の上部に活性領域を成長させた。メサ端における有効な応力緩和により,試料成長あるいは成長後冷却時の亀裂生成を避ける事ができた。DBR中の多数のAlN/(Al,Ga)N二重層がLED構造を含む事ができたので,LED発光波長におけるシリコン基板による吸収があるにも関わらず,LEDデバイス出力パワーが非常に大きくなった。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子 

前のページに戻る