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J-GLOBAL ID：201502202260398530   整理番号：15A0406633

α-Ni(OH)₂膜の電子構造:高性能Ni-触媒表面の産出に対する影響

The electronic structure of the α-Ni(OH)₂ films: Influence on the production of the high-performance Ni-catalyst surface

著者 (4件)： KATIC J. (Dep. of Electrochemistry, Fac. of Chemical Engineering and Technol., Univ. of Zagreb, Savska c. 16, P.O. Box 177 ...) ,  METIKOS-HUKOVIC M. (Dep. of Electrochemistry, Fac. of Chemical Engineering and Technol., Univ. of Zagreb, Savska c. 16, P.O. Box 177 ...) ,  PETER R. (Dep. of Physics and Center for Micro and Nano Sciences and Technologies, Univ. of Rijeka, Radmile Matejcic 2, 51000 ...) ,  PETRAVIC M. (Dep. of Physics and Center for Micro and Nano Sciences and Technologies, Univ. of Rijeka, Radmile Matejcic 2, 51000 ...)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 282  ページ： 421-428  発行年： 2015年05月15日 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni-触媒の効率に対する酸化物/水酸化物膜の固体状態特性の重要性を考慮し,本研究は(支配的点欠陥としてのアニオン空格子点を有し)n-型半導体としてふるまう不動態α-Ni(OH)₂膜の電子構造に焦点を合わせる。n-型α-Ni(OH)₂膜のNiへの固相変換を,古典的半導体の還元的分解に対するGerischerのアプローチに基づいて議論した。α-Ni(OH)₂のNiへの分解の動力学をin situで検討し,分解機構を提案した。ニッケル金属の核化は,膜|溶液界面上のアニオン空格子点で始まり,最終的に,酸化物膜マトリックス全体が新しい金属相に変換する。水素放出反応(h.e.r.)が,E_r(H₂/H⁺)より正の電位において,新しくin situ抽出されたNi表面で起こる。不動態膜の半導体特性を,酸化物膜,そしてNi上にイオン注入法で形成したn-型半導体のそれらと比較した。言及した後者の膜はコンパクトで,最初の膜より秩序化され,無定形がより少ない構造を示し,これはX線光電子分光法(XPS)による結果に一致する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子構造 ,  *ニッケル触媒 ,  ニッケル化合物 ,  水酸化物 ,  空格子点 ,  水素発生反応 ,  核形成 ,  *不動態皮膜 ,  サイクリックボルタンメトリー
準シソーラス用語： 水酸化ニッケル

分類 (1件)： その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子構造 ,  高性能 ,  Ni ,  触媒 ,  産出