抄録/ポイント:
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低速イオン散乱分光法(LEIS)およびX線光電子分光法(XPS)を用いてCu(111)表面のCeおよびCeO
2の制御成長を検討した。他の金属基板を用いる金属および酸化形のセリウム析出物に関する既報のLEIS研究により希ガスイオンの中和が非常に困難であることが報告されている。このため本研究ではLEISデータの定量評価の大きな障害となるであろう中和について起り得るマトリックス効果(「中和効果」)を明らかにするために特に注意した。Cu(111)にO
2を吸着させるとHe
+でもNe
+でも中和効果は誘起されなかった。同様にCu(111)に金属Ceを析出させるとHe
+では中和効果は特定されなかったが,Ne
+を用いて観測したCeピークでそれが生じた。Ceの初期成長はΘ
Ce~0.5MLまで二次元であったがΘ
Ce=2MLでCu(111)のほとんど完全な被覆率が得られた。523Kの試料温度においてO
2背景でCeを蒸発させてCeO
2(111)を析出させた。He
+でもNe
+でも中和効果は観測されなかった。成長モードは文献データと矛盾なく三次元であった。本研究ではLEISによって効率的に検査することができるであろう膜の連続性が使用酸素圧力の影響を5×10
~7-3×10
-6mbarの範囲で受けることを示した。p
O=3×10
-6mbarにおいては比較的大きな被覆率(16ML)でも膜は完全には閉じず,銅原子のかなりの部分がCu
1+に酸化された。p
O=5×10
-7mbarにおけるCeO
2の析出はほぼ完全な濡れを特徴とし,界面には金属銅原子と若干還元されたセリア層とがあった。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST