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J-GLOBAL ID：201502202285365963   整理番号：15A1078520

粒界の電場変化を介した最適にドープされたLa_1.85Sr_0.15CuO₄薄膜の輸送特性の変調

Modulation of transport properties of optimally doped La_1.85Sr_0.15CuO₄ thin films via electric field modification of the grain boundaries

著者 (2件)： HASSAN Muhammad Umair ,  WIMBUSH Stuart C. (The MacDiarmid Inst. for Advanced Materials and Nanotechnology, Victoria Univ. of Wellington, PO Box 600, Wellington ...)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 9  ページ： 2037-2043  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導La_1.85Sr_0.15CuO₄に基づくイオン液体ゲートトランジスタの輸送特性変調を達成した。印加ゲートバイアスV_g≧2Vに対して,特性シート抵抗対温度(R_s-T)曲線は超伝導転移温度(T_c)以下で完全可逆的なフット特性を示した。この高T_c超伝導材料の大きな電荷キャリア密度から予測された挙動とは対照的に,T_c以上での常伝導状態伝導率も大きな変調を呈し,単純なThomas-Fermiモデルから予測されたよりも大きな電荷遮蔽長を示した。この改変を試料に内在する粒界のような構造的不完全性における電荷密度の静電変化に起因すると考えた。このような改変は超伝導ドメイン間の結合を変化させ,ゲート膜の全体的なR_s-T傾向を決定する。今回の知見を説明するために粒界での電子バンド曲がりのMannhartモデルを適用し,バンド曲がりは大きな電場によって変調されて観測されたようなデバイスの輸送特性の変調が生じると提案した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅酸化物超伝導体 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *ランタン化合物 ,  *酸化物 ,  *銅化合物 ,  イオン液体 ,  *超伝導薄膜 ,  結晶粒界 ,  *トランジスタ ,  Thomas-Fermi模型 ,  電圧 ,  電荷分布 ,  密度 ,  *電気抵抗 ,  温度依存性 ,  バンド構造 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *ランタンストロンチウム銅酸化物 ,  *超伝導トランジスタ ,  電荷密度 ,  銅酸化物系高温超伝導体 ,  粒界

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 粒界 ,  電場 ,  ドープ ,  薄膜 ,  輸送特性 ,  変調