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J-GLOBAL ID：201502202409951092   整理番号：15A0863205

窒化物半導体InGaNの結晶品質向上に向けた構造解析

著者 (3件)： 谷川智之 (東北大 金属材料研) ,  正直花奈子 (東北大 金属材料研) ,  松岡隆志 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書
巻： 2014  ページ： 163-164  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： L3700A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InNはGaNと比較して気相固相間の窒素平衡蒸気圧が5桁以上高いため,InGaNの結晶成長は極めて困難である。著者らは,加圧型MOVPE装置によりN極性GaN上にLED構造を作製して青色から緑色の高輝度発光を得ている。本研究では,発光素子の高効率化に向けて精密な構造解析を行い,欠陥発生の起源および欠陥に伴う表面モフォロジーの乱れの解明を試みた。サファイア基板上にN極性GaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸構造を,MOVPE法で条件を変えて作製した。InGaNおよびGaNの膜厚は,それぞれ2nmおよび9nmとした。得られた試料をSEMおよびEBSD測定により評価した。成長条件の内,V/III比が低く成長温度が高いほど準安定相であるZB構造の混合割合が減少することが分かった。これらの結果を基に成長条件を最適化することで,ほぼ100%の安定なWZ構造の相純度が達成できた。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  MOCVD ,  X線回折 ,  *インジウム化合物 ,  品質 ,  構造解析 ,  結晶成長 ,  発光ダイオード ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  形態 ,  表面性状 ,  基板 ,  サファイア ,  多重量子井戸 ,  窒化ガリウム ,  準安定相 ,  膜厚
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  結晶品質 ,  *窒化インジウムガリウム ,  窒化物半導体 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化物半導体 ,  InGaN ,  結晶品質 ,  構造解析