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J-GLOBAL ID：201502202479502783   整理番号：15A0965616

標準シリコンCMOS集積回路でのゲート制御ダイオード構造に基づく電気光学インタフェイス

Gate-controlled diode structure based electro-optical interfaces in standard silicon-CMOS integrated circuitry

著者 (3件)： XU Kaikai (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  LIU Haitao (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  ZHANG Zhengyuan (Sichuan Solid-State Circuit Res. Inst. (SISC), Chongqing, CHN)
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 54  号： 21  ページ： 6420-6424  発行年： 2015年07月20日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *集積回路 ,  *CMOS構造 ,  *ケイ素 ,  ゲート回路 ,  制御 ,  ゲート【半導体】 ,  スイッチング素子 ,  ダイオード ,  *光学素子 ,  *電気光学効果 ,  デバイスインタフェイス ,  OEIC ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ゲート制御 ,  *電気光学デバイス

分類 (3件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  集積回路一般  (NC03161C) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 標準 ,  シリコン ,  CMOS集積回路 ,  ゲート制御 ,  ダイオード ,  光学 ,  インタフェイス