文献
J-GLOBAL ID:201502202705345432   整理番号:15A0836283

可とう性単位含有新規ポリマを有する高信頼性絶縁材料の開発

Development of High Reliability Insulator with Novel Polymer Containing Flexible Unit
著者 (5件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 233-238  発行年: 2015年 
JST資料番号: L0202A  ISSN: 0914-9244  CODEN: JSTEEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
スマートフォン,タブレットPC及びウェアラブルエレクトロニクスのような携帯型電子デバイスにおける高度な市場要求の故に,ICパッケージは,より小さく,薄く,軽くそして多重機能を要求されている。このような複雑で課題のある要求により,WL-CSP,FO-WLP,2.5インターポーザ,3D-TSVその他のようなパッケージ技術が開発され,大容量製造用に実装されている。これらのパッケージ構造用に,光感受性材料が緩衝被覆,保護層用に使用され,再分布用絶縁材料が,剥離や亀裂のような問題の無い高信頼性を維持するために低残留応力を示すように要求されている。この要求に答えるため,可とう性単位含有新規フェノール樹脂を開発した。新規ポリマを含有する光感受性絶縁材料は,低残留応力,良好耐薬品性,良好パッケージ信頼性を示した。この報告では,材料設計概念及び試験結果を議論した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (11件):
  • 1. G.J.Jung, “Structure and Process Development of Wafer Level Embedded SiP (System in package) for Mobile Applications”, 2009 11th EPTC, p.191.
  • 2. Yoichiro Kurita, “A 3D Stacked Memory Integrated on a Logic Device Using SMAFTI Technology”, 2007 ECTC, p.821.
  • 3. S. Yoon, et.al., “Mechanical Characterization of Next GenerationeWLB (embedded Wafer Level BGA) Packaging”, ECTC, pp441-446, 2011.
  • 4.\tM. Santarini, “Stacked and Loaded: Xilinx SSI, 28-Gbps I/O Yield Amazing FPGAs”, Xcell Journal, No.74, pp.8-13, 2011.
  • 5. M. Murugesan, et.al., “Wafer Thinning, Bonding, and Interconnects Induced Local Strain/Stress in 3D-LSIs with Fine-Pitch High-Density Microbumps and Through-Si Vias”, IEDM, pp.2.3.1-2.3.4, December 2010.
もっと見る
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る