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J-GLOBAL ID：201502202711510852   整理番号：15A1044386

HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用

著者 (12件)： 山本玲緒 (トクヤマ) ,  山本玲緒 (東京農工大 大学院) ,  木下亨 (トクヤマ) ,  永島徹 (トクヤマ) ,  小幡俊之 (トクヤマ) ,  高島信也 (富士電機) ,  富樫理恵 (東京農工大 大学院) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院) ,  SCHLESSER Raoul (Hexa Tech, Inc.) ,  COLLAZO Ramon (North Carolina State Univ.) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院) ,  SITAR Zlatko (North Carolina State Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-1D-13  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  化合物半導体 ,  *エピタクシー ,  *窒化アルミニウム ,  基板 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  厚膜 ,  膜 ,  自立膜
準シソーラス用語： HVPE【薄膜成長】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： HVPE ,  AlN ,  作製 ,  縦型 ,  ショットキーダイオード