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J-GLOBAL ID：201502202869370586   整理番号：15A0969952

X帯超低位相雑音GaN-HEMTベースキャビティ発振器の位相雑音解析

Phase-Noise Analysis of an X-Band Ultra-Low Phase-Noise GaN HEMT Based Cavity Oscillator

著者 (6件)： HOERBERG Mikael ,  EMANUELSSON Thomas ,  LAI Szhau (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  DO THANH Thi Ngoc (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  ZIRATH Herbert ,  KUYLENSTIERNA Dan (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 63  号： 8  ページ： 2619-2629  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN-HEMT発振器は種々報告されており,搬送波遠方の位相雑音性能が示されてきた。しかし搬送波近傍の位相雑音はフリッカ雑音により良くない。高いフリッカ雑音に依らず,搬送波近傍の位相雑音仕様を満たすため,高Qキャビティ共振器によるGaN-HEMT発振器を設計/試作した。設計した発振器はGaN-HEMTモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)反射増幅器と矩形アルミニウムキャビティを基本としている。9.9GHzにおいて発振し,位相雑音が100kHzにおいて-145dBc/Hz,400kHzにおいて-160dBc/Hzと優れている。この値はGaN-HEMTデバイスによるこれまでのベストな性能である。この発振器の理論的雑音フロアーのベンチマークとしてEverard理論があり,Everard理論に従った理論的雑音フロアーを,電力正規化位相雑音指数(FOM)と共振器の無負荷Qとの間の関係で表現した。最適な結合ファクタとバイアス条件に対して,測定した位相雑音は理論雑音フロアーの7dB以内であった。

シソーラス用語： *発振器 ,  周波数帯 ,  SHF【周波数】 ,  *位相雑音 ,  *HEMT ,  雑音解析 ,  1/f雑音 ,  MMIC ,  空洞
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  X帯 ,  フリッカ雑音 ,  *低位相雑音

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： X帯 ,  低位相雑音 ,  GaN ,  HEMT ,  キャビティ ,  発振器 ,  位相雑音 ,  解析