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J-GLOBAL ID:201502203090613470   整理番号:15A0453747

ドープされたGaAsにおけるプラズモンの超レンズ効果

Plasmonic Superlensing in Doped GaAs
著者 (13件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 1057-1061  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高濃度のSiドーピングされたGaAs層(層厚d=200nm)の上下を非ドープGaAs(層厚d/2)で挟んだプラズモン素子の底部に金電極ストリップアレイ(2μm幅,10μmピッチ)を形成した。素子上部からの赤外線照射の反射光を近接場光学顕微鏡により観測した。超レンズ効果により赤外線波長λ=22μmの1/6までの分解能でイメージングが可能であることを確かめた。FTIR反射観測およびDrude-Lorentzモデルに基づくシミュレーションとよい一致を得た。
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分類 (4件):
分類
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固体プラズマ  ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  ,  分析機器  ,  計算機シミュレーション 
タイトルに関連する用語 (4件):
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