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J-GLOBAL ID:201502203174665157   整理番号:15A0461403

バンド比とピーク位置を正確に維持しつつグラフェンのラマン信号を100倍向上させるための少金属構造の使用

Using Metal-less Structures To Enhance the Raman Signals of Graphene by 100-fold while Maintaining the Band-to-Band Ratio and Peak Positions Precisely
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資料名:
巻: 27  号:ページ: 876-884  発行年: 2015年02月10日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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基材の表面電場のシミュレーションにより,グラフェンに及ぼす干渉増強ラマン散乱効果を系統的に研究した。表面電場は,薄膜集合体の光学アドミタンスに関して正確に計算することができた。表面電場を最小化するためには,基材の有効光学アドミタンスの実部と虚部を,ゼルの近づけるべきであることを見出した。TiO2層とSnO2層が交互する四分の一波長の長さの層とSiO2のトップ層からなる1次元フォトニック結晶を,この条件で達成した。グラフェンのラマンGおよび2Dバンドの強化要因となるように,最適な表面電場を合理的に予測することができた。
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分類 (2件):
分類
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赤外・Raman・Rayleighスペクトル一般(分子)  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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