文献
J-GLOBAL ID:201502203245462295   整理番号:15A0456046

ヘテロ接合太陽電池のためのナノパターン化Si構造の作製

Preparation of nano-patterned Si structures for hetero-junction solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 334  ページ: 123-128  発行年: 2015年04月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
アスペクト比の小さい220nm及び300nm周期のナノパターンSi構造をナノ球リソグラフィー法により作製した。広いスペクトル範囲(300~1200nm)における良好な反射防止特性が作製したSiナノ構造物の緩やかな屈折率変化のために得られた。真性及びリンドープ(Pドープ)アモルファスSi(a-Si)膜の堆積後,220nm及び300nm周期のナノ構造物の荷重平均反射率はさらにそれぞれ3.30%及び2.96%に小さくなった。大きくなった光吸収のためにナノパターン化電池の内部量子効率(IQE)及び外部量子効率(EQE)は両者とも広いスペクトル域でよくなった。300nm周期ナノパターン化プロトタイプヘテロ接合太陽電池に対して短絡電流密度は34.5mA/cm2に増加しており,フラット電池の26.8mA/cm2と比較して明らかに向上したものであった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る