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J-GLOBAL ID：201502203247768813   整理番号：15A1073713

閉空間昇華法により堆積したAgドープZnTe薄膜の温度依存成長及びXPS

Temperature-dependent growth and XPS of Ag-doped ZnTe thin films deposited by close space sublimation method

著者 (3件)： POTLOG Tamara (Dep. of Physics and Engineering, Moldova State Univ., MD 2009 Chisinau, Republic of Moldova) ,  DUCA Dumitru (Dep. of Physics and Engineering, Moldova State Univ., MD 2009 Chisinau, Republic of Moldova) ,  DOBROMIR Marius (Fac. of Physics, Alexandru Ioan Cuza Univ., 11 Carol I Blvd., Iasi 700506, ROM)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 352  ページ： 33-37  発行年： 2015年10月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化亜鉛(ZnTe)薄膜を閉空間昇華法(CSS)を使用してガラス基板上に堆積した。物理特性に対する基板温度の影響を調べた。堆積した膜をいろいろな濃度のAgNO₃溶液に浸漬し,その後空気中でアニールした。構造及び組成をX線回折(XRD)及びX線光電子分光法(XPS)により調べた。堆積しただけのZnTe薄膜のXRDパターンは多結晶であることを示した。基板温度に関係なく立方晶相をもつ(111)優先配向が観測された。X線光電子分光分析の結果,いろいろな濃度のAgNO₃溶液への浸漬によるドーピング後のZnTe薄膜中にAgが存在することを確認した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *昇華 ,  *テルル化亜鉛 ,  *銀 ,  *ドーピング ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  真空蒸着 ,  基板 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル ,  多結晶 ,  基板温度 ,  立方晶系 ,  *優先配向 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 閉空間 ,  昇華 ,  堆積 ,  Ag ,  ドープ ,  ZnTe ,  薄膜 ,  温度依存 ,  成長 ,  XPS