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J-GLOBAL ID:201502203258291598   整理番号:15A1089554

三元系後期遷移金属酸化物薄膜の化学的性質と構造特性 InZnO,InGaOおよびGaZnO

Chemical and structural properties of ternary post-transition metal oxide thin films: InZnO, InGaO and GaZnO
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巻: 15  号: 11  ページ: 1337-1341  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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三元系後期遷移金属酸化物InZnOとInGaOおよびGaZnO薄膜の化学的性質をX線光電子分光で調べた。詳細な結合エネルギーの解析が参照用の二元酸化物In2O3,ZnOおよびGa2O3との比較である種の展開を認めた。特に,O 1s BEは組成が変わったが,In3+/Ga3+/Zn2+とO2-イオン間の電荷移動が小さくないことを示唆する。EXAFSの結果はさらに,三元酸化物膜が構造的には無秩序系であるにも関わらすその第一殻配位(カチオン-酸素結合)はほぼ維持されていることを示した。これはO2-を経由する電荷移動過程が三元酸化物系の電荷再構成に影響する可能性を示唆している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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化合物の化学熱力学(純物質)  ,  酸化物薄膜 
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