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J-GLOBAL ID：201502203261782853   整理番号：15A0793015

微細研削下での反応接着SiC/Si複合材のアモルファス化及びC偏析ベース表面形成

Amorphization and C segregation based surface generation of Reaction-Bonded SiC/Si composites under micro-grinding

著者 (5件)： ZHANG Quanli (Centre for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  ZHANG Quanli (State Key Lab. of Ultra-precision Machining Technol., The Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN) ,  TO Suet (State Key Lab. of Ultra-precision Machining Technol., The Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN) ,  ZHAO Qingliang (Centre for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  GUO Bing (Centre for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
資料名： International Journal of Machine Tools & Manufacture  (International Journal of Machine Tools & Manufacture)
巻： 95  ページ： 78-81  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0568A  ISSN： 0890-6955  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面形成メカニズムを調べるために反応接着SiC/Si複合材(RB-SiC/Si)の微細研削を行った。その結果SiC及びSi相双方にアモルファス化が起こり,SiC表面とSiCとSiの界面でC偏析が現れることが示された。表面形成メカニズムは微破壊からより滑らかな表面へ変化したが,送り速さの減少と共に相境界での多くの微細ピット形成を伴うようになった。材料除去モードはアモルファス化とC偏析に密接に関連している(i.e.アモルファス化は延性材料除去を促進させる一方,C偏析は表面破砕を一層進め微細ピット数を増大させる)。更に微細ピットの分布はダイヤモンド砥粒のランダムで確率的な特性に対応しており,マシニングプロセス時の微細ピット形成が表面粗さを決定していることが分った。微細ピット形成メカニズムを説明するため,ダイヤモンド砥粒とワークピース間の簡単な相互作用モデルを提案した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アモルファス化 ,  *表面偏析 ,  炭素 ,  表層構造 ,  複合材料 ,  *研削
準シソーラス用語： Si ,  SiC ,  ダイヤモンド砥粒 ,  *マイクロ研削 ,  *メカニズム ,  微細穴

分類 (2件)： 研削  (QC03000R) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 微細 ,  研削 ,  SiC ,  Si ,  複合材 ,  アモルファス化 ,  偏析 ,  表面形成