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J-GLOBAL ID：201502203276681239   整理番号：15A0939771

GaAsナノワイヤを包むFe₃SiシェルのSi(111)上へのファセット成長

Facetted growth of Fe₃Si shells around GaAs nanowires on Si(111)

著者 (4件)： JENICHEN B. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  HILSE M. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  HERFORT J. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  TRAMPERT A. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 427  ページ： 21-23  発行年： 2015年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによって,GaAsナノワイヤとFe₃Siのコア/シェルのナノワイヤ構造をSi(111)酸化基板上に成長した。そして,透過型電子顕微鏡法によって特性評価した。元のGaAs NWsの表面を磁性Fe₃Siによって完全に被覆した。これによって,露出したGaAs NWsと比較して,ナノファセットを示し,表面粗さが増大した。基板温度T_S=200°Cでのシェル成長は,規則的なナノファセット化したFe₃Siシェルをもたらした。シェルの厚さの不均一性をもたらしている,これらのファセットは,よく目立っているFe₃Si(111)面から主に構成されていた。コアとシェルの結晶方位は一致していたが,言い換えれば,それらはシュードモルフィックであった。本研究で発見したナノファセット化したFe₃Siシェルは,おそらく,GaAs NWsの{110}サイドファセット上へのFe₃SiのVollmer-Weber島成長モードの結果である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  構造 ,  *ケイ化物 ,  *鉄化合物 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *被覆 ,  表面粗さ ,  ナノ構造 ,  ファセット ,  結晶方位 ,  島状構造 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： ケイ化鉄 ,  ナノファセット ,  *シュードモルフィック成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  シェル ,  Si ,  ファセット ,  成長