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J-GLOBAL ID：201502203301712748   整理番号：15A1366987

グラフェンの超低仕事関数の設計

Engineering Ultra-Low Work Function of Graphene

著者 (14件)： YUAN Hongyuan (Stanford Univ., California, USA) ,  CHANG Shuai (Stanford Univ., California, USA) ,  BARGATIN Igor (Univ. Pennsylvania, Pennsylvania, USA) ,  WANG Ning C. (Stanford Univ., California, USA) ,  RILEY Daniel C. (Stanford Univ., California, USA) ,  WANG Haotian (Stanford Univ., California, USA) ,  SCHWEDE Jared W. (Stanford Univ., California, USA) ,  PROVINE J. (Stanford Univ., California, USA) ,  POP Eric (Stanford Univ., California, USA) ,  SHEN Zhi-Xun (Stanford Univ., California, USA) ,  PIANETTA Piero A. (Stanford Univ., California, USA) ,  PIANETTA Piero A. (SLAC National Accelerator Lab., California, USA) ,  MELOSH Nicholas A. (Stanford Univ., California, USA) ,  HOWE Roger T. (Stanford Univ., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 10  ページ： 6475-6480  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン系への静電ゲーティングと表面工学法の組合せにより,仕事関数を1eVまで低下できることを実証した。二次元の低表面状態密度に起因して,フェルミレベルの変化により,静電ゲーティングはグラフェンの仕事関数を効果的に制御することができる。また,適量のCsとO₂による表面被覆により,表面での真空レベルの低下のために,仕事関数をさらに低減することができる。この組合せアプローチは,エネルギー変換や電子放出用途向けに超低仕事関数電極の作製経路を提供する。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *仕事関数 ,  エネルギー変換 ,  電子放出 ,  制御 ,  Fermi準位 ,  セシウム ,  酸素 ,  状態密度
準シソーラス用語： Fermiレベル ,  ゲーティング

分類 (2件)： 電子放出一般  (BM09010H) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  仕事関数 ,  設計