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J-GLOBAL ID：201502203477069990   整理番号：15A1140722

単層グラフェンの超微細Ptナノ粒子誘導添加/歪:伝導とRaman特性間の実験的確証

Ultrafine Pt nanoparticle induced doping/strain of single layer graphene: experimental corroboration between conduction and Raman characteristics

著者 (5件)： ZHENG Haisheng (Univ. of Missouri, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 65211, Columbia, MO, USA) ,  MUKHERJEE Somik (Univ. of Missouri, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 65211, Columbia, MO, USA) ,  GANGOPADHYAY Keshab (Univ. of Missouri, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 65211, Columbia, MO, USA) ,  GANGOPADHYAY Keshab (Nanos Technologies LLC, 65203, Columbia, MO, USA) ,  GANGOPADHYAY Shubhra (Univ. of Missouri, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 65211, Columbia, MO, USA)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 7  ページ： 4746-4753  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン利用電界効果トランジスタの伝導チャネル修飾とRaman特性化により,単層グラフェン上にスパッタした超微細Ptナノ粒子(NP)を検討した。0.5nmのサブnm白金NPでは,I-V特性中にかなりのDirac点変位が観測され,電荷移動と化学的相互作用による大面積単層グラフェンのN型添加が示唆された。より大きな(1.1nm)白金NPでは,Dirac点変位は最小であり,電荷移動誘発添加効果の欠如が示唆された。電気的特性化はRamanシグネチャを確認した。0.5nm白金NP修飾グラフェンでは電荷移動がRamanピーク変位を支配し,1.1nm白金NPでは歪効果が支配的であった。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  微細構造 ,  *ナノ粒子 ,  添加 ,  歪 ,  電気伝導 ,  Raman分光法 ,  *FET【トランジスタ】 ,  スパッタリング ,  バンド構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： Dirac点 ,  *Ptナノ粒子 ,  単層グラフェン ,  超微細構造 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層グラフェン ,  超微細 ,  Ptナノ粒子 ,  誘導 ,  歪 ,  伝導 ,  実験