文献

J-GLOBAL ID：201502203525948193   整理番号：15A0521778

窒素ドープグラフェンにおける半充填エネルギーバンド誘起負性微分抵抗

Half-filled energy bands induced negative differential resistance in nitrogen-doped graphene

著者 (4件)： LI Xiao-Fei (School of Optoelectronic Information, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R. ...) ,  LIAN Ke-Yan ,  QIU Qi ,  LUO Yi
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 9  ページ： 4156-4162  発行年： 2015年03月04日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドーピングはグラフェンに新しい特性と有望な応用をもたらすが,基本的なメカニズムはまだ議論の中にある。窒素ドープグラフェンの負性微分抵抗(NDR)挙動を起こさせる重要な要因を決定するために,11-二量体ワイド窒素ドープアームチェアグラフェンナノリボン(N-AGNR)の電子構造と輸送特性を第一原理計算により系統的に調査した。Nドーパントの間の相互作用の効果およびNDRに及ぼすドーピング副格子の効果を初めて検討した。2つの効果を考慮して,N-AGNRはドーピング形態に依存して金属または半導体になり,Fermi準位は大きな範囲で変化した。NDRはN-AGNRの場合に固有ではないことが確認された。しかし,Fermi準位と交差し,低いバイアスのもとではN-AGNRの輸送特性を半充填エネルギーバンド(HFEB)が決定するために,窒素ドーピングがHEBEを誘起すかどうかにより全体的に決定される。バイアスの増加とともに,Fermi準位近くのスペクトルは刀状葉の形状を示し,相当する輸送チャネルは対応するバイアスにより全体的に抑制され,10⁴までの形態依存するピーク対バレイ電流比(PVCR)を有するNDR挙動をもたらす。筆者らの知見は,化学ドーピング誘起NDR挙動の微視的メカニズムへの新しい洞察を与え,将来のNDR系ナノデバイス実現に役立つであろう。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 窒素 ,  ドーピング ,  *グラフェン ,  *バンド構造 ,  負性抵抗 ,  電気抵抗 ,  *電流電圧特性 ,  ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  電子構造 ,  輸送現象 ,  電気伝導 ,  Fermi準位 ,  添加物効果
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  ナノリボン ,  微分抵抗

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  グラフェン ,  エネルギーバンド ,  誘起 ,  負性微分抵抗