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J-GLOBAL ID:201502203649662647   整理番号:15A0894647

半導体チップ上へのAl/Cuクラッドリード端子の直接超音波接合技術の開発

Development of Direct Al/Cu Lead Terminal Ultrasonic Bonding Technology for Power Semiconductor Chips
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 196-201  発行年: 2015年07月20日 
JST資料番号: F0907C  ISSN: 2186-702X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Alワイヤに代わる通電容量の大きな半導体チップ上配線技術として,Alリボン接合,Cuワイヤ接合などの新たなチップ上配線技術が注目されている。本研究では,傾きを有するAlN基板にダイボンドした半導体チップ上にAl/Cuリード端子およびバンプAl/Cuリード端子を直接超音波接合し,放熱性に関わる接合面積に及ぼすチップ傾きの影響を調べた。その結果,Al/Cuリード端子においてチップ傾きが存在すると接合面積が減少し,バンプAl/Cuリード端子を用いることでバンプが優先的に潰れて接合され,接合面積の減少を抑制できることが分かった。温度サイクル試験の結果,バンプAl/Cuリード端子の温度サイクル寿命の改善を実証できた。
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (5件):
  • 1) 木戸和優、百瀬文彦、西村芳孝、後藤友彰、“IGBT モジュール用超音波接合技術の開発(第二報)”、第17 回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合·実装技術シンポジウム論文集、17 (2011) 197-200.
  • 2) Bryan Ong, Mohd Helmy, Shirley Chuah,“Heavy Al Ribbon Interconnect: An Alternative Solution for Hybrid Power Packaging”,Proc. IMAPS International Conference and Exhibition on High Temperature Electronics, HiTEC 2004, Long Beach, CA; United States; November 14-18, 2004, p1-10.
  • 3) K. Ozaki, T. Kurosu, J. Onuki,“Development of Damage Free Thick Al-Cu Wire Bonding Process and Reliability of the Wire Bonds”,The Electrochemical Society of Japan, 82(2) (2014) 100-103.
  • 4) 米田裕、坂元創一、荒谷修三、菊池正雄、柳本辰則、茂永隆、“超音波接合におけるインサート材が接合性に与える影響”、第20 回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合·実装技術シンポジウム論文集、20 (2014) 75-78.
  • 5) T. Saito, Y. Nishimura, K. Kido, F. Momose, E. Mochizuki, Y. Takahashi,“New assembly technologies for Tjmax=175 °C continuous operation guaranty of IGBT module”, Proc. PCIM Europe 2013, Nuremberg; Germany; May 14-16, 2013, p455-461.

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