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J-GLOBAL ID：201502203649945860   整理番号：15A0829968

室温Si-Ti熱電推テラヘルツセンサ

Room temperature Si-Ti thermopile THz sensor

著者 (8件)： BEN MBAREK Sofiane (FEMTO-ST, Univ. de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, UTBM, 25044, Besancon, FRA) ,  EUPHRASIE Sebastien (FEMTO-ST, Univ. de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, UTBM, 25044, Besancon, FRA) ,  BARON Thomas (FEMTO-ST, Univ. de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, UTBM, 25044, Besancon, FRA) ,  THIERY Laurent (FEMTO-ST, Univ. de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, UTBM, 25044, Besancon, FRA) ,  VAIRAC Pascal (FEMTO-ST, Univ. de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, UTBM, 25044, Besancon, FRA) ,  BRIAND Danick (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Inst. of Microengineering, SAMLAB, 2002, Neuchatel, CHE) ,  GUILLET Jean-Paul (UMR 5214 CNRS, Univ. de Montpellier II, Inst. d’Electronique du Sud, 34095, Montpellier, FRA) ,  CHUSSEAU Laurent (UMR 5214 CNRS, Univ. de Montpellier II, Inst. d’Electronique du Sud, 34095, Montpellier, FRA)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 21  号： 8  ページ： 1627-1631  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,室温でテラヘルツ電磁場を検出するように設計された熱電推の概念,製造及び特性評価を提示する。熱電推は,4つのドープされたシリコン/チタン熱電対で構成される。吸収体は,熱電対の金属部分と同時に堆積されたチタン製の金属格子からなる。格子の設計は,等価抵抗率を用い,小さな回折効果を考慮に入れた理論多層モデルに基づく。2.4mm×2.4mmの正方形窒化シリコン膜上に格子を堆積する。0.3THzで測定したセンサの時定数は,10msであり,この値は有限要素シミュレーションと一致する。応答は,4.8μV/(W m^-2)と評価される。大きなJohnson雑音につながる大きなインピーダンスのために,雑音等価電力は,1.5×10^-6WHz^-1/2である。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱電対 ,  *温度センサ ,  *テラヘルツ波 ,  室温 ,  ケイ素 ,  チタン ,  半導体プロセス ,  走査電子顕微鏡 ,  周波数依存性 ,  電磁場 ,  窒化ケイ素 ,  時定数 ,  有限要素法 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 窒化シリコン ,  熱電堆

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  温度測定,温度計  (AD06010K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 室温 ,  Si ,  Ti