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J-GLOBAL ID：201502203693511982   整理番号：15A1149082

RF マグネトロンスパッタ法により作製した ZnO 薄膜に及ぼすイオン照射の影響

Effect of Ion Irradiation on ZnO Thin Film Prepared using RF Magnetron Sputtering

著者 (2件)： 瀧口陽介 (広島工業大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻) ,  豊田宏 (広島工業大学工学部電子情報工学科)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 58  号： 9  ページ： 351-355 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタ法を用いてターゲットRF電力およびスパッタガス圧力を変化させてプラズマを制御し,ガラス基板上にZnO薄膜を作製した。ターゲット近傍のイオンの発光強度および作製したZnO薄膜の物性評価から,ZnO薄膜の特性に及ぼすイオン照射効果について検討した。ZnO薄膜の結晶構造はイオン照射効果の増加に伴い結晶性が悪く,イオン照射効果の減少によって結晶性が良くなった。ZnO薄膜の電気的特性は,イオン照射効果による膜の平坦化および結晶性の向上により,キャリア密度およびホール移動度が増加した。

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *薄膜成長 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *イオン照射 ,  結晶構造 ,  結晶度 ,  キャリア密度 ,  Hall移動度 ,  プラズマ
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• 1) K. Ozaki and M. Gomi: Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 5614.
• 2) H. Kobayashi: Supattahakumaku (Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., Tokyo, 1993) p. 77 [in Japanese].
• 3) T. Minami, H. Nanto and S. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys., 23 (1984) L280.
• 4) H. Kobayashi: Supattahakumaku (Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., Tokyo, 1993) p. 171 [in Japanese].
• 5) N. E. Duygulu, A. O. Kodolbas and A. Ekerim: J. Cryst. Growth, 381 (2013) 51.

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  マグネトロンスパッタ法 ,  作製 ,  ZnO ,  薄膜 ,  イオン照射