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J-GLOBAL ID：201502204018655114   整理番号：15A0859559

サブバンド間遷移素子に向けたInGaAs/AlAs/InAlAs結合二重量子井戸の結晶品質

Crystal quality of InGaAs/AlAs/InAlAs coupled double quantum wells for intersubband transition devices

著者 (2件)： GOZU Shin-ichiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 205-8568, JPN) ,  MOZUME Teruo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 205-8568, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 425  ページ： 102-105  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるバリア構造を有する結合二重量子井戸(CDQWs)の結晶品質を,光学的特性と構造界面品質を評価することによって調査した。フォトルミネッセンス(PL)スペクトルから,AlAs/InAlAs結合バリア(CDQW_CB)を有するCDQW試料は,AlAsSbバリアを有するCDQWよりも狭いPL発光ピークを示すことが明らかになった。また,CDQW_CBはPL強度の最も良好な励起依存性を示した。X線反射率(XRR)測定から,CDQW_CBの良好な界面品質が確認できることが明らかになった。結論として,CDQW_CBが,評価したCDQWの中で最高の結晶品質であった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *品質 ,  *多重量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  *層 ,  反射率 ,  電子遷移 ,  界面 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： X線反射率 ,  サブバンド間遷移 ,  *バリア層 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム ,  二重量子井戸 ,  結合バリア層 ,  結晶品質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブバンド間遷移 ,  InGaAs ,  AlAs ,  InAlAs ,  二重量子井戸 ,  結晶品質