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J-GLOBAL ID:201502204025580979   整理番号:15A0792858

ゾル-ゲルZnOナノ結晶のMgドーピング誘起高構造品質:光触媒への応用

Mg doping induced high structural quality of sol-gel ZnO nanocrystals: Application in photocatalysis
著者 (6件):
資料名:
巻: 349  ページ: 855-863  発行年: 2015年09月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アンドープ及びMgドープのZnOナノ結晶(NC)ZnO:x%Mg(x=1,2,3及び5)を,ゾル-ゲル法を用いて合成した。構造及び光学特性を,X線回折(XRD),Raman分光,拡散反射率及び光ルミネセンス(PL)により調べた。XRD分析は全作製試料が純六方晶ウルツ鉱構造を,Mg関連相無しに,提示することを実証した。NCサイズは,Mg濃度に従って,26.82nmから42.96nmまで変化し,2%のMgで最適値を示した。Ramanスペクトルは,E2highモードにより支配された。高(5%)Mgドーピングに対しては,サイレントモードB1(low)の生起は,実際にMgイオンがZnO格子の中でZnサイトを置換することを提示した。バンドギャップエネルギーは,Tauc及びUrbach法の双方で見積もり,ZnO:2%Mgに対して3.39eVであることを見出した。PLスペクトルはUVと可視領域に2つの発光バンドを呈示した。そのMgドーピングによる進化は,低MgドーピングにおけるZn空格子点を充填することによるZnO欠陥密度の減少を明らかにした。加えて,2%以上の更なるMgドーピングは,太陽光照射のもとでのローダミンB(RhB)光分解に対するZnO NCの光触媒活性を改善することを見出した。効率よい電子-正孔分離が,MgドープZnO NCの光触媒性能増進に寄与する主因子であった。この研究を通して,著者らはZnOのMg含有量を変えることにより,この材料が光エレクトロニクス及び光触媒応用双方の有望候補であり得ることを示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
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酸化物の結晶成長  ,  半導体の格子欠陥  ,  光化学反応  ,  下水,廃水の化学的処理 
物質索引 (1件):
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