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J-GLOBAL ID:201502204134282503   整理番号:15A1330266

シリコンナノ結晶ランダムネットワークにおけるEfros-Shklovskii可変領域ホッピングから最近接ホッピングへのクロスオーバ

Crossover from Efros-Shklovskii variable range hopping to nearest-neighbor hopping in silicon nanocrystal random network
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: 105001.1-105001.3  発行年: 2015年10月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,シリコンナノ結晶ネットワークの電気輸送について,ランダム構造がどのように影響を及ぼすかを調べた。電気伝導率の温度依存性は,70~160Kの範囲では,G≒exp[-(T0/T)1/2]に従うことを記した。データ当てはめで得たT0=5765Kを用いて,電子局在長は4.1nmであると推定した。160Kより高温では,GはArrhenius挙動を示した。これらの温度依存性は,Coulombギャップと最近接原子間ホッピング(NNH)とを有するEfros-Shklovskii可変領域ホッピング(ES VRH)で記述できることを記した。ES VRHとNNHとの間のクロスオーバを,160Kで観測した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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