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J-GLOBAL ID：201502204165228779   整理番号：15A1368481

原子的に薄い半導体としての二次元遷移金属ジカルコゲナイド: 機会と課題

Two-dimensional transition metal dichalcogenides as atomically thin semiconductors: opportunities and challenges

著者 (5件)： DUAN Xidong (State Key Lab. of Chemo/Biosensingand Chemometrics, Coll. of Chemistry and Chemical Engineering, Hunan Univ. ...) ,  WANG Chen ,  PAN Anlian ,  YU Ruqin ,  DUAN Xiangfeng
資料名： Chemical Society Reviews  (Chemical Society Reviews)
巻： 44  号： 24  ページ： 8859-8876  発行年： 2015年12月21日 
JST資料番号： D0479B  ISSN： 0306-0012  CODEN： CSRVBR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの発見は二次元層状材料(2DLM)の興味を引き起こした。これらの2DLM類は単一原子厚みの限界における基礎化学と物理学を用いる新しいクラスの2D材料系であり,現存材料を超える全く新しい科学技術機会への道を開く可能性がある。一般に,2DLM類は原子層がvan der Waals相互作用により弱く結合しており,単一または数層ナノシートに分離できる。隣接原子層間のvan der Waals相互作用は異なる材料のフレキシブル統合を可能にし,原子スケールにおけ異なる性質をもつ。遷移金属ジカルコゲナイド類(TMD)(例えば,MoS₂,WSe₂)は層状材料の大ファミリーであり,バルク結晶における間接バンドギャップ遷移から単分子層ナノシートにおける直接バンドギャップ遷移によりバンドギャップの同調が可能になった。これらの2D-TMD類はエキサイティングなクラスの原子薄膜半導体として出現し,エレクトロニクスとオプトエレクトロニクス素子の新しい出現を可能にする。最近の研究では,これらの原子薄膜半導体は原子薄膜トランジスタ,新しい設計の垂直トランジスタ,および新しいタイプの光起電素子や発光素子のようなオプトエレクトロニクスを含むことが示されている。それと平行して,精密に制御された化学組成,物理的次元,およびヘテロ構造界面をもつ種々の2D材料の合理的な成長のための多様な合成手法の開発への努力がなされている。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *半導体薄膜 ,  *グラフェン ,  積層材料 ,  二次元 ,  van der Waals力 ,  バンドギャップ ,  電子遷移 ,  薄膜トランジスタ ,  光起電素子 ,  *固体素子 ,  結晶成長 ,  ナノシート ,  原子スケール ,  原子層 ,  単一原子 ,  発光素子

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  機会