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J-GLOBAL ID：201502204260205610   整理番号：15A0212148

広バンドギャップ障壁材料としてのナノ結晶MgS薄膜の微細構造と光学的性質

Microstructural and optical properties of nanocrystalline MgS thin film as wide band gap barrier material

著者 (7件)： TALEATU B. A. (Obafemi Awolowo Univ., Dep. of Physics, Ile-Ife, Nigeria) ,  TALEATU B. A. (Univ. of KwaZulu Natal, School of Chemistry and Physics, Scottsville, P Bag X01, 3209, Pietermaritzburg, South Africa) ,  OMOTOSO E. (Obafemi Awolowo Univ., Dep. of Physics, Ile-Ife, Nigeria) ,  ARBAB E. A. A. (Univ. of KwaZulu Natal, School of Chemistry and Physics, Scottsville, P Bag X01, 3209, Pietermaritzburg, South Africa) ,  LASISI R. A. (Federal Coll. of Education, Kotangora, Niger State, Nigeria) ,  MAKINDE W. O. (Obafemi Awolowo Univ., Centre for Energy Res. and Dev., Ile-Ife, Nigeria) ,  MOLA G. T. (Univ. of KwaZulu Natal, School of Chemistry and Physics, Scottsville, P Bag X01, 3209, Pietermaritzburg, South Africa)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 118  号： 2  ページ： 539-545  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化マグネシウム(MgS)薄膜を室温での電気化学的堆積プロセスにより首尾よく成長した。X線回折研究はこの薄膜が明確な結晶性の特徴を有することを明らかにした。立方晶系構造に対応する突出した特性的ピークは(200)と(222)反射のよって同定された。表面モルフォロジーは15nmと17nmの間の範囲の薄膜結晶粒径が基板を横断して一様に分布していることを示した。ポスト堆積アニーリングは薄膜の形状と粒子サイズを増強した。原子間力顕微鏡トポグラフィ像から成長高さと表面粗さを求めた。光学的データの解析から研究した3つのMgS薄膜のエネルギーバンドギャップの値を得た。アニールされた試料のエネルギーギャップは3.54eVと3.73eVで,一方,堆積されたままのもののそれは4.10eVであった。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネシウム化合物 ,  *硫化物 ,  *ナノ結晶 ,  微細構造 ,  モルフォロジー ,  *アニーリング【現象】 ,  焼なまし ,  結晶粒粗大化 ,  表面粗さ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電着 ,  *光学ギャップ
準シソーラス用語： *硫化マグネシウム

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンドギャップ ,  障壁 ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  光学的性質