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J-GLOBAL ID：201502204264173820   整理番号：15A1140226

窒素ドーピングにより可能となるグラフェン間の共有結合様のπ-π結合

Nitrogen Doping Enables Covalent-Like π-π Bonding between Graphenes

著者 (6件)： TIAN Yong-Hui (Sichuan Univ., Sichuan, CHN) ,  HUANG Jingsong (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  SHENG Xiaolan (Sichuan Univ., Sichuan, CHN) ,  SUMPTER Bobby G. (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  YOON Mina (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  KERTESZ Miklos (Georgetown Univ., Washington, D.C., USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 8  ページ： 5482-5491  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厳密な密度汎関数計算による電子構造計算及び結晶軌道重なり数分析(COOP)を用いて窒素ドープグラフェン(NGr)を研究した。積層モチーフ(AAまたはAB)によらずに,種々のドーピングレベルのNGrは二層NGr間に共有結合様のπ-π結合を二次元(2D)的に形成した。これらのNGr間の層間隔は,van der Waals(vdW)相互作用に対応する未ドープのグラフェン(pG)の間隔に比し顕著に低減した。NGr層間の結合エネルギーはpGr層間に比し50%に至るまで強化できる。層間の共有結合様π-π結合はvdW間隔に渡るπ-π重なりから生じ,他方でそれぞれの層は面内π共役を保持し,従って平面状である。最適なドープ量のNGrの与えるグラファイトはそれらの一様な積層を示すとともに,面内及び積層方向の両方に金属性を示した。

シソーラス用語： *ドーピング ,  *窒素 ,  *グラフェン ,  層間隔 ,  *結合 ,  共役 ,  van der Waals力 ,  結合エネルギー ,  グラファイト ,  金属性 ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  プログラムパッケージ ,  相互作用 ,  分散【dispersion】 ,  電子構造 ,  結晶軌道法
準シソーラス用語： VASP【計算機プログラム】 ,  π共役 ,  ファンデルワールス相互作用 ,  *層間結合 ,  多体系 ,  分散相互作用

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素ドーピング ,  グラフェン ,  共有結合 ,  π結合