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J-GLOBAL ID:201502204273766972   整理番号:15A0523993

リンとホウ素をドープしたグラフェンのフェニル含有分子を利用した化学蒸着

Chemical Vapor Deposition of Phosphorous- and Boron-Doped Graphene Using Phenyl-Containing Molecules
著者 (8件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 4883-4886  発行年: 2015年07月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンの化学蒸着成長と,リンまたはホウ素のドーピングを同時に行う方法について報告した。ドーパント材料としフェニルを含む固体分子,トリフェニルホスフィン(TPP)と4-メソオキシフェニルボロン酸(4-MPBA)を用いた。TPPと4-MPBA分子を昇華させ,大気圧でのグラフェン成長の間にCH4分子とともに供給した。成長したグラフェン試料をRaman分光により評価した。フェニル含有固体分子前駆体は様々な応用のための改質グラフェンを得る際の可能な方法を提供してくれる。
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
物質索引 (3件):
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