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J-GLOBAL ID：201502204285024050   整理番号：15A0842490

異なるバッファー層を持つAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける閾値電圧シフトの解析

Analysis of Threshold Voltage Shift in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Different Buffer Layers

著者 (5件)： LIAO Wen-Chia (National Central Univ., Jhongli, TWN) ,  CHEN Cheng-Hsin (National Central Univ., Jhongli, TWN) ,  HSU Chia-Wei (National Central Univ., Jhongli, TWN) ,  HSIN Yue-Ming (National Central Univ., Jhongli, TWN) ,  CHYI Jen-Inn (National Central Univ., Jhongli, TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 162  号： 8  ページ： H522-H526  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファー層が異なる2種類のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)において,閾値電圧シフト(ΔV_TH)過渡変化を求める方法を利用してAlGaN/GaN HFET中のトラップの影響を観察した。デバイス1はC-ドープGaNバッファー層を持ち,デバイス2はGaNバッファー層の上にAl_0.05Ga_0.95Nバック障壁層を成長させたものである。この手法ではゲートからソースへの電圧(V_GS)とドレインからソースへの電圧(V_DS)を同期的に切り替える。ΔV_THとV_DSの過渡変化を求めた。デバイス1ではV_DSストレスの増加とともにΔV_THは飽和するが,デバイス2は飽和しない。シミュレーション検討結果は実測値と一致し,C-ドープで誘起されたトラップが浅いトラップレベルではさらなるトラッピングが無いことを示す。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *電圧 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  過渡解析 ,  挙動 ,  *バッファ層 ,  電子 ,  捕獲 ,  ドレイン【半導体】 ,  電圧変動 ,  効果
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドーピング効果 ,  トラップ【固体】 ,  過渡挙動 ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  電圧シフト ,  *電界効果トランジスタ ,  *閾値電圧 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： バッファー層 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  閾値電圧シフト ,  解析