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J-GLOBAL ID：201502204308811381   整理番号：15A1390526

Al-Ge<111>-Al ナノワイヤヘテロ構造におけるゲート可変電子輸送現象

Gate-Tunable Electron Transport Phenomena in Al-Ge<111>-Al Nanowire Heterostructures

著者 (3件)： BRUNBAUER Florian M. (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT) ,  BERTAGNOLLI Emmerich (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT) ,  LUGSTEIN Alois (Technische Univ. Wien, Vienna, AUT)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 7514-7518  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VLS成長したGeナノワイヤ(NW)を用いた金属-半導体-金属(Al-Ge-Al)NWヘテロ構造をSiO₂/Siにモノリシックに集積したバックゲートFETにおいて,室温における静電的に可変な負性微分抵抗(NDR)と衝突イオン化を実証した。ゲート電圧によるGe<111>部分のキャリア密度の静電場変調により,NDR特性の出現と,NDRと衝突イオン化の閾値電場を制御した。自己加熱及びキャリア捕獲がNDRの主な原因ではないことを示し,NDRの特徴をバレイ間電子移動に帰した。高電場では,Ge部分の衝突イオン化による指数関数的な電流増加に至った。ピーク対バレイ比(PVR)の大きな可変性として現れる移動速度の変調と衝突イオン化の開始は,静電ゲーティング,幾何学閉じ込めとヘテロ接合の形状がホットエレクトロン移動に与える影響と,キャリア密度変化に伴う電子-電子散乱速度を利用して制御できる。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *MSM構造 ,  室温 ,  *負性抵抗 ,  衝突イオン化 ,  *電圧 ,  *可変性 ,  キャリア密度 ,  輸送現象 ,  電子 ,  ウエハ【IC】 ,  基板
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  バックゲート ,  金属-半導体-金属構造 ,  *負性微分抵抗 ,  ケイ素基板 ,  シリカ基板

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al ,  Ge ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  ゲート ,  可変 ,  電子輸送 ,  現象