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J-GLOBAL ID：201502204350332964   整理番号：15A0364777

高速スイッチング対応の小型SiCパワーモジュール

Compact SiC Power Module for High Speed Switching

著者 (5件)： 豊島茂憲 (住友電気工業) ,  初川聡 (住友電気工業) ,  平方宣行 (住友電気工業) ,  築野孝 (住友電気工業) ,  御神村泰樹 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 186  ページ： 75-78  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC MOSFETはSi IGBTに対して高耐圧化,低イオン抵抗化,高速スイッチング性に優れている。しかし,高速スイッチング時に寄生インダクタンスによる過電圧が発生し,パワーモジュールや回路の破壊の恐れがある。本稿では,3次元電磁場シミュレーションにより低インピーダンスの設計と試作を行い開発した,ターンオフ時間20nsの高速スイッチングに対応したパワーモジュールについて報告した。開発した標準モジュールに対して約1/3のターンオン時間が得られた。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  MOSFET ,  特性 ,  スイッチング ,  シミュレータ ,  電磁場 ,  *インダクタンス ,  過電圧
準シソーラス用語： *SiC ,  スイッチング特性 ,  *パワーモジュール ,  *寄生インダクタンス ,  電磁場シミュレータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• 木村ら、SEIテクニカルレビュー第183号、pp.125-129(2013)
• 日吉ら、SEIテクニカルレビュー第183号、pp.130-134(2013)
• JEC2407:2007、絶縁形パワー半導体モジュール
• K. Wada et al., ISPSD, pp.225-228(2014)
• 斎藤ら、SEIテクニカルレビュー第186号、pp.69-74(2015)

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチング ,  SiC ,  パワーモジュール