文献

J-GLOBAL ID：201502204367326500   整理番号：15A0860209

TiO₂/CZTS極薄膜太陽電池の劣化とデバイス物理学モデリング

Degradation and device physics modeling of TiO₂/CZTS ultrathin film photovoltaics

著者 (4件)： HOUSHMAND M. (Dep. of Physics, Shahid Bahonar Univ. of Kerman, Kerman, IRN) ,  ESMAILI Hamid (Dep. of Physics, Shahid Bahonar Univ. of Kerman, Kerman, IRN) ,  HOSSEIN Zandi M. (Dep. of Physics, Shahid Bahonar Univ. of Kerman, Kerman, IRN) ,  GORJI Nima E. (Dep. of New Technologies, Univ. of Tabriz, Tabriz 51566, IRN)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 157  ページ： 123-126  発行年： 2015年10月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ多孔質性n型TiO₂ナノ層とp型半導体Cu₂(Zn,Sn)Se₄(CZTS)極薄膜のハイブリッド太陽電池をSCAPS-1Dプログラムを使い数値的にシミュレートした。キャリヤーの生成,電荷収集および電流-電圧特性を含むデバイスの物理特性を調査し,通常の動作条件下での電気的変数の劣化速度を時間依存の方法を通して考慮している。シミュレーション解析は,文献中で報告されている実験データに基づいている。薄いCZTS層に替えて極薄(厚さ≦1μm)の層が,完全な光吸収に適当なサブミクロン層を許容する材料の高い吸収係数に基づいて考察されている。欠陥密度/レベルが時間経過と共に効率を非常に低下させる。その結果は,そのような構造の界面でのトンネリング再結合に関する文献中で提案されているデバイス物理特性で解釈されている。TiO₂層は50nmのみであるとして選ばれた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化チタン ,  スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  ハイブリッド方式 ,  *シミュレーション ,  *数値解析 ,  *劣化 ,  超薄膜 ,  吸収係数 ,  欠陥密度 ,  欠陥準位 ,  *素子構造 ,  物理学 ,  *モデリング
準シソーラス用語： *CZTS ,  ハイブリッド太陽電池 ,  極薄膜 ,  欠陥レベル ,  光吸収係数 ,  数値シミュレーション ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiO2 ,  CZTS ,  極薄膜 ,  太陽電池 ,  物理学 ,  モデリング