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J-GLOBAL ID：201502204379003065   整理番号：15A1078500

再結晶化Fe埋込InGaAsP/InPヘテロ構造の微細構造の変化

Microstructural evolution of a recrystallized Fe-implanted InGaAsP/InP heterostructure

著者 (7件)： FEKECS Andre (Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), and Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS ...) ,  KORINEK Andreas (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Canadian Centre for Electron Microscopy, McMaster Univ., 1280 Main ...) ,  CHICOINE Martin ,  ILAHI Bouraoui (Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), and Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS ...) ,  SCHIETTEKATTE Francois ,  MORRIS Denis ,  ARES Richard
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 9  ページ： 1888-1896  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MeV Feイオンインプランテーションによって得られる,非晶質ヘテロ構造の再結晶化を通じて,光伝導性テラヘルツ光エレクトロニクスのための標準的エピタキシャル半導体材料である小ギャップInGaAsP/InPアロイが作成される。本論文では,X線回折線プロファイル解析及び透過型電子顕微鏡を使用して,広い温度域での急速熱アニーリングにより材料に生じる微細構造の変化について報告した。その結果,83Kにおける多重エネルギーインプランテーション後にヘテロ構造は完全に非晶質転移した事を示した。熱アニーリングにより,固相エピタクシー及び固相再結晶を介して多重構造層は変化した。光伝導性InGaAsP層は多結晶及びサブミクロン結晶粒になり,高い結晶体積比と明らかな〈110〉組織を有した。多数の結晶粒は細長くかつ内部積層し,最密(111)面で生じる面状欠陥の密度が高い。X線回折線の幅広がりは異方的で急速熱アニーリング温度とともに変化した。500°Cにおいて,X線コヒーレントドメインの大きさは10nmと評価され,欠陥域における電子顕微鏡像と整合してドメインは整列した。500°C以上では,面欠陥密度は非常に減少した。再結晶温度により生じるこれらの微細構造変化がFe埋込InGaAsP/InPの超高速光伝導応答に与える影響を議論した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  *素子構造 ,  X線回折 ,  *微細構造 ,  非晶質半導体 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶粒 ,  格子欠陥 ,  再結晶 ,  温度依存性 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *InGaAsP ,  *InP ,  TEM【顕微鏡】 ,  アニール ,  イオンインプランテーション ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 再結晶化 ,  Fe ,  埋込 ,  InGaAsP ,  InP ,  ヘテロ構造 ,  微細構造