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J-GLOBAL ID：201502204390662356   整理番号：15A0939681

Hall効果センサのためのエピタキシャルグラフェンの統計

Statistics of epitaxial graphene for Hall effect sensors

著者 (3件)： CIUK Tymoteusz (Inst. of Electronic Materials Technol., Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, POL) ,  CIUK Tymoteusz (Inst. of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw Univ. of Technol., Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, POL) ,  STRUPINSKI Wlodek (Inst. of Electronic Materials Technol., Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, POL)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 93  ページ： 1042-1049  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCのSi-表面で成長した単分子層グラフェンの水素原子インターカレーションにより生ずる準自立性の2層は,高い担体の移動度(5000cm²/Vs)とデバイス加工サイクルの間の電気的安定性を提供する。ここでは,半絶縁性10mm×10mm基板上の460の個別プロセスの結果である4H(0001)と6H(0001)SiC上で成長したQFS-2層グラフェンの輸送特性に関する統計的展望を提示する。グラフェン中の電荷輸送に対するSiC六方晶性の影響の認識を得るために,荷電キャリア濃度と移動度の相関を決定して,分析する。SiC上の準自立性2層グラフェンの主として磁場検出での利用性に特別な注意を払う。Hall効果センサの段階-エッジ誘発のオフセット電圧の異方性の問題は紹介して,それを最小にする方法は提示する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Hall素子 ,  Hall効果 ,  *グラフェン ,  ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  単分子層 ,  インターカレーション ,  水素 ,  多層 ,  キャリア移動度 ,  磁気電気効果 ,  *磁気センサ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： Hall効果 ,  エピタキシャルグラフェン ,  統計