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J-GLOBAL ID：201502204409810571   整理番号：15A0343814

制御ゲートを重畳させたゲート/ボディタイド光検出器を用いた負のフィードバック構造の線形-対数型の広ダイナミックレンジ能動画素センサ

Linear-Logarithmic Wide-Dynamic-Range Active Pixel Sensor with Negative Feedback Structure Using Gate/Body-Tied Photodetector with an Overlapping Control Gate

著者 (6件)： JO Sung-Hyun (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  BAE Myunghan (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  CHOI Byoung-Soo (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SEO Sang-Ho (Samsung Display, Chungcheongnam-Do, KOR) ,  CHOI Pyung (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SHIN Jang-Kyoo (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 27  号： 1  ページ： 97-105  発行年： 2015年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御ゲートを重畳させたゲート/ボディタイド(GBT)光検出器(PD)を用いた線形対数広ダイナミックレンジの相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)能動画素センサ(APS)を示す。PDの増幅光電流は従来のn⁺/p^--サブPDのものより100倍大きい。制御ゲートを重畳させたGBT PDは高感度であるが,ダイナミックレンジが非常に狭いため,このPDをAPSの構造に適用するのは難しい。それ故,低照射(20lx未満)条件下で高感度を維持しながらダイナミックレンジを101dBに拡張できる出力電圧フィードバック構造を用いた新しいAPSを提案する。本提案のAPSを0.35μm,2ポリ4メタル標準CMOSプロセスを用いて作製し,その特性を評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *センサ ,  *ピクセル検出器 ,  *画素 ,  *光検出器 ,  ゲート【半導体】 ,  ダイナミックレンジ ,  フィードバック ,  能動回路 ,  高感度 ,  回路設計 ,  *素子構造 ,  性能評価 ,  バンド構造
準シソーラス用語： 画素センサ

分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

引用文献 (28件)：

• J. Ota, T. Tokuda, K. Kagawa, M. Nunoshita and S. Shiosaka: IEEE Proc. of Symposium Circuit and Systems (IEEE, Kobe, 2005) 3487.
• N. Nelson, D. Sander, M. Dandin, S. Prakash, A. Sarje and P. Abshire: IEEE Trans. Biomed. Circuits Syst. 3 (2009) 99.
• Y.-W. Chang, Y.-T. Tai, Y-T. Huang and Y-S. Yang: IEEE Journal of Sensors 9 (2009) 673.
• Y. Ardeshirpour, M. J. Deen and S. Shirani: Journal of Vacuum Science & Technology A 24 (2006) 860.
• H.-S. Wong: IEEE Transactions on Electron Devices 43 (1996) 2131.

タイトルに関連する用語 (8件)： 制御ゲート ,  重畳 ,  ゲート ,  光検出器 ,  負のフィードバック ,  線形 ,  ダイナミックレンジ ,  画素センサ