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J-GLOBAL ID:201502204462606324   整理番号:15A1206165

酸素系複素環二量体の9,9’-ビ(ベンゾ[b]ナフサ[2,1-D]フラン)の合成,特性およびFET特性

Synthesis, properties and FET characteristics of oxygen-based heterocycle dimers 9,9′-bi(benzo[b]naphtha[2,1-d]furan)
著者 (6件):
資料名:
巻: 209  ページ: 355-360  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: C0123B  ISSN: 0379-6779  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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内容著者らは合成に成功し,有機電界効果トランジスタ(OFET)デバイス用の良好な環境安定性を有する潜在的な半導体材料として新しく合成した酸素複素環とπ共役二量体の9,9’-ビ(ベンゾ[b]ナフサ[2,1-d]フラン)(9-BBR)を特性化した。DFT計算から予想されるように,分光分析により,低い最高被占軌道(HOMO)エネルギーレベルとペンタセンよりも大きなHOMO-最低非占有分子軌道(LUMO)ギャップを有する化合物を確認することを可能にした。空気飽和溶液中での9-BBRの吸収スペクトルは,変化なく実質的な環境安定性を示し,事実空気の存在下でさえ,9-BBR系のOFETデバイスの移動度も安定であった。Tsub=100°Cにおいて,ヘキサメチルジシラザン(HMDS)で処理した基板を有する9-BBR系OFETによって,最大10-2cm2V-1s-1の最大電界効果移動度が得られた。X線回折および原子間力顕微鏡から,高いTsubで調製した9-BBR系OFETの良好な特性は,薄膜での良好な結晶性と大粒子形態に起因していると結論づけることができた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  酸素複素環化合物一般 

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