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J-GLOBAL ID：201502204469533128   整理番号：15A1397952

二次元半導体への電気的接触

Electrical contacts to two-dimensional semiconductors

著者 (4件)： ALLAIN Adrien (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  KANG Jiahao (Univ. California, California, USA) ,  BANERJEE Kaustav (Univ. California, California, USA) ,  KIS Andras (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 14  号： 12  ページ： 1195-1205  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1990年代に研究が始まった低次元ナノ構造系電子装置について,二次元(2D)材料と金属接点間の界面の構造と性質を最初に解説した後,接点で起こる電荷注入機構を記述し,2D半導体に対するSchottky障壁についての知見をまとめた。なお,取上げた2D層状結晶はグラフェン,二硫化モリブデン,二セレン化タングステン,黒リンなどであるが,主としてMoS₂系を取上げた。ついで,接触抵抗を論議し,この分野の最近の研究を概説した。また,スピントロニクスへの応用を目的として,遷移金属ジカルコゲニドへの効率的スピン注入の実現のための必要条件を論議した。

シソーラス用語： *半導体 ,  二次元 ,  ナノ構造 ,  接触 ,  界面 ,  電極 ,  グラフェン ,  硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  タングステン化合物 ,  モリブデン化合物 ,  硫化物 ,  金属 ,  キャリア注入 ,  層状組織 ,  *Schottky障壁 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  接触抵抗 ,  層状化合物 ,  注入 ,  スピン ,  スピントロニクス ,  結晶
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  *二次元半導体 ,  *遷移金属ジカルコゲニド ,  層状結晶 ,  *電気接触

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (1件)： 二次元半導体