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J-GLOBAL ID：201502204470071049   整理番号：15A0851221

ZnO上に堆積したCH₃NH₃PbI₃薄膜での熱的不安定性の起源

Origin of the Thermal Instability in CH₃NH₃PbI₃ Thin Films Deposited on ZnO

著者 (5件)： YANG Jinli (Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN) ,  SIEMPELKAMP Braden D. (Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN) ,  MOSCONI Edoardo (Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari (ISTM), CNR, Perugia, ITA) ,  DE ANGELIS Filippo (Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari (ISTM), CNR, Perugia, ITA) ,  KELLY Timothy L. (Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 12  ページ： 4229-4236  発行年： 2015年06月23日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池材料の開発に関する研究の一環として,本研究では,ZnO上に堆積したヨウ化鉛メチルアンモニウム(CH₃NH₃PbI₃)薄膜での熱的不安定性の起源を,実験研究で調べた。著者らは,ZnO電子輸送層を用いて製造したペロブスカイト型太陽電池について,熱的不安定性の起源を,シンクロトロン放射を用いたすれすれ入射X線回折測定および密度汎関数法によるシミュレーションを用いて系統的に調べた。その結果に基づいて,1)ZnO表面の特性は,ZnO/CH₃NH₃PbI₃界面でのプロトン移動反応をもたらし,その結果,ペロブスカイト薄膜の分解が起こること,2)この分解過程は,表面ヒドロキシル基および/または残留アセテート配位子の存在によって加速されること,3)ZnO層の焼成は,熱的に安定なZnO/CH₃NH₃PbI₃界面をもたらすこと,などを記した。

シソーラス用語： *有機金属化合物 ,  *鉛化合物 ,  ヨウ化物 ,  有機材料 ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  太陽電池 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  熱安定性 ,  不安定性 ,  *結晶構造 ,  X線回折 ,  *界面化学 ,  配位子 ,  カルボン酸エステル ,  カルボン酸塩 ,  脂肪族カルボン酸 ,  *吸着 ,  密度汎関数法 ,  プログラムパッケージ ,  *電子構造 ,  プロトン移動 ,  ヒドロキシ基
準シソーラス用語： ヒドロキシル基 ,  SIESTA ,  アセタート ,  シンクロトロン放射光X線回折 ,  すれすれ入射X線回折 ,  一般化勾配近似 ,  熱不安定性 ,  有機薄膜

分類 (2件)： 有機半金属・有機金属化合物の結晶構造  (BK08040B) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  堆積 ,  薄膜 ,  起源