文献

J-GLOBAL ID：201502204473767710   整理番号：15A1107119

窒素とホウ素をドープしたphosphoreneの原子および電子構造

The atomic and electronic structure of nitrogen- and boron-doped phosphorene

著者 (1件)： BOUKHVALOV Danil W. (Dep. of Chemistry, Hanyang Univ., 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Korea. [e-mail])
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 40  ページ： 27210-27216  発行年： 2015年10月28日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素とホウ素をドープしたphosphoreneの第一原理モデリングは,高度に秩序した構造を形成する傾向を示す。窒素ドーピングは-N-P-P-P-N-線の形成をもたらす。Phosphoreneの鎖を横切る-P-N-P-N-線へのさらなる変換が,バンドギャップの増加および窒素濃度の増加に伴って発生する。これはN型ドープphosphoreneの化学活性の低下と一致する。窒素の場合とは対照的に,ホウ素原子がphosphorene鎖に沿う-P-P-B-B-P-P-パターンのさらなる形成と-B-B-対の形成を優先する。低濃度のホウ素ドーパントは,その化学的活性の同時強化により,phosphoreneを半導体から半金属に変換する。ホウ素と窒素とによるphosphoreneの同時ドーピングは,BN対の形成から出発して,フラットバンドや,六方晶BN線およびphosphorene鎖を横切るリボンへのこれらの対のさらなる変換をもたらす。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *窒素化合物 ,  *ホウ素化合物 ,  *電子構造 ,  *原子構造 ,  計算 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  ドーパント ,  半導体 ,  半金属 ,  窒化ホウ素 ,  *リン ,  構造 ,  バンド構造
準シソーラス用語： フラットバンド ,  *二次元構造 ,  第一原理計算 ,  六方晶窒化ホウ素

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  原子 ,  電子構造