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J-GLOBAL ID：201502204477768070   整理番号：15A0961828

高速重イオンとフラーレンを照射したIII-N半導体におけるトラック生成と非弾性熱スパイクモデルの再評価

Track formation in III-N semiconductors irradiated by swift heavy ions and fullerene and re-evaluation of the inelastic thermal spike model

著者 (9件)： SALL M. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA) ,  MONNET I. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA) ,  MOISY F. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA) ,  GRYGIEL C. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA) ,  JUBLOT-LECLERC S. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA) ,  JUBLOT-LECLERC S. (CSNSM, CNRS-IN2P3, Univ. Paris-Sud, Bat. 104-108, 91405, Orsay, FRA) ,  DELLA-NEGRA S. (IPNO, CNRS, IN2P3, Univ. Paris-Sud UMR 8608, 15 rue Georges Clemenceau, 91406, Orsay, FRA) ,  TOULEMONDE M. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA) ,  BALANZAT E. (CIMAP, CEA-CNRS-ENSICAEN-Universite de Caen, BP 5133, 14070, Caen Cedex 5, FRA)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 50  号： 15  ページ： 5214-5227  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN,GaN,InNを室温で単原子高速重イオンと高エネルギーフラーレンで照射した。透過型電子顕微鏡を用い,平面図と断面の両モードでイオントラック生成を調べた。これら化合物のイオントラックに関する完全な実験的記述を提示した。AlNはトラック生成に対して著しい抵抗を示した;InNは最も感受性が高く,一部はN₂と金属クラスタに分解した;GaNにおける非晶質トラックの重なりはトラックで誘起された再結晶のために非晶質層の形成に至らなかった。非弾性熱スパイクモデルの適用について考察し,モデルは本研究でのIII-窒化物および一般の半導体に対する酸化物中のトラック半径の良好で簡単な予測を可能にした。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  窒化インジウム ,  *N型半導体 ,  *粒子飛跡 ,  *重イオン照射 ,  フラーレン ,  エネルギー ,  窒素 ,  金属クラスタ ,  非晶質 ,  非弾性 ,  熱スパイク
準シソーラス用語： *イオントラック ,  高エネルギー ,  *高速重イオン照射

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高速重イオン ,  フラーレン ,  トラック ,  非弾性 ,  熱スパイク ,  モデル ,  評価