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J-GLOBAL ID：201502204481866850   整理番号：15A0814771

ナノエレクトロニクスおよびエネルギー応用のための無機ナノ材料中の水素化効果

The Hydric Effect in Inorganic Nanomaterials for Nanoelectronics and Energy Applications

著者 (4件)： SUN Xu (Hefei National Lab. for Physical Sciences at the Microscale, iChEM (Collaborative Innovation Center of Chemistry for ...) ,  GUO Yuqiao (Hefei National Lab. for Physical Sciences at the Microscale, iChEM (Collaborative Innovation Center of Chemistry for ...) ,  WU Changzheng (Hefei National Lab. for Physical Sciences at the Microscale, iChEM (Collaborative Innovation Center of Chemistry for ...) ,  XIE Yi (Hefei National Lab. for Physical Sciences at the Microscale, iChEM (Collaborative Innovation Center of Chemistry for ...)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 27  号： 26  ページ： 3850-3867  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 世界で最も小形のイオンの一つであるプロトンは,無機材料内部に明瞭な格子拡大を生じることなく電荷効果を始動可能で,多様な機能性を制御する特異的で重要な試験台となる。各種主体アニオン(容易にプロトンを受容)による水素(容易に電子を放出)の高い化学的反応性により,水素化効果は,殆どの無機材料を網羅して,魅力的な新しい物理化学特性を生成し,元の構造を劇的に破壊することなく「旧格子」にもとづいて新規な無機構造を創成するための,便利で環境に優しい経路となる。さらに,水素原子は,アニオンと結合,あるいは固有欠陥を形成する傾向を有し,いずれも格子構造に余分の電子を注入するため,広範な応用の機能性を決定するバンドギャップ,スピン挙動およびキャリア濃度などの制御に有望な進展をもたらすと推定される。本総説において,伝統的な高温または室温における水素化反応,プロトン照射または水素プラズマ処理,およびゲート電解質駆動吸着またはドーピングなどの,最近開発された効果的な水素化戦略を強調して記述する。水素化効果で生じた固有電子構造の変調による多様な物理化学特性も総括し,ナノエレクトロニクス,エネルギー応用および触媒における広範な応用を見出す。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子技術 ,  *ナノ材料 ,  *無機材料 ,  *水素化 ,  プロトン化 ,  格子欠陥 ,  陽子照射 ,  プラズマ ,  バンドギャップ ,  キャリア密度 ,  電子構造 ,  窒化物 ,  *キャリア注入 ,  チタン化合物 ,  硫化物 ,  *グラフェン ,  半導体 ,  *金属酸化物 ,  結晶構造 ,  ドーピング ,  *利用 ,  材料 ,  文献展望
準シソーラス用語： *エネルギー利用 ,  ケミカルドーピング ,  *ナノエレクトロニクス ,  ハイブリッド材料 ,  プロトン照射 ,  固有欠陥 ,  水素プラズマ ,  *電子注入

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノエレクトロニクス ,  エネルギー ,  応用 ,  ナノ材料 ,  水素化