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J-GLOBAL ID:201502204485935732   整理番号:15A0833583

電子分布に作用する力の観点でのエタンおよびその六置換誘導体の回転障壁

The rotational barrier of ethane and some of its hexasubstituted derivatives in terms of the forces acting on the electron distribution
著者 (4件):
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巻: 17  号: 29  ページ: 19021-19029  発行年: 2015年08月07日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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エタンおよび各種六置換誘導体CX3CX3(X=H,F,CH3,Cl,Br)の回転障壁に対する新規な別の説明を,電子分布特性の評価にもとづいて提案した。分子を形成するトポロジカル原子の電子分布を生じる力,Ehrenfest力,を解析し,ビリアル定理を援用して,実験回転障壁を説明することに利用した。この方法によると,障壁は,主に常に引力である2個の炭素原子を架橋するEhrenfest力(EF)が低下した結果であった。加えて,EFの挙動は,中央C原子の安定性低下に関係し,これは置換基による安定化では相殺しなかった。同時に,スタッガード(千鳥配置)から平衡配座への回転中に,C-C結合臨界点の電子密度およびC原子間の電子非局在は低下し,置換基間の電子非局在の増加を伴った。定常状態におけるEFを均衡する量子力が,伝統的なPauli斥力の指標とする説明の可能性も議論したが,EF場の力線の解析および集積した力の挙動に従うと,電子密度に作用するいかなる斥力の結果によっても,回転障壁は説明できなかった。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (3件):
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分子構造と性質の実験的研究  ,  分子の電子構造  ,  脂肪族化合物一般 

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