文献

J-GLOBAL ID：201502204497801847   整理番号：15A0977241

II型CdS/ZnSeのコア/シェルヘテロ構造 UV-vis吸収,光ルミネセンス,及びRaman散乱研究

Type-II CdS/ZnSe core/shell heterostructures: UV-vis absorption, photoluminescence and Raman scattering studies

著者 (6件)： CA Nguyen Xuan (Fac. of Physics and Technol., Thai Nguyen Univ. of Sci., Thai Nguyen, Viet Nam) ,  LIEN V.T.K. (Fac. of Physics, Thai Nguyen Univ. of Education, Thai Nguyen, Viet Nam) ,  NGHIA N.X. (Inst. of Materials Sci., Vietnam Acad. of Sci. and Technol., 18 Hoang Quoc Viet, Cau Giay, Hanoi, Viet Nam) ,  NGHIA N.X. (Duy Tan Univ., 182 Nguyen Van Linh, Da Nang, Viet Nam) ,  CHI T.T.K. (Inst. of Materials Sci., Vietnam Acad. of Sci. and Technol., 18 Hoang Quoc Viet, Cau Giay, Hanoi, Viet Nam) ,  PHAN T.L. (Dep. of Physics and Oxide Res. Center, Hankuk Univ. of Foreign Studies, Yongin 449-791, KOR)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 200  ページ： 107-116  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,オクタデセン(ODE)溶媒中の湿式化学法に基づいたII型CdS/ZnSeコア/シェルヘテロ構造の製造について述べる。製造プロセスを,UV-VIS吸収,光ルミネセンス(PL)とRaman散乱(RS)の分光法によってモニタした。著者らは,CdSコアを,その結晶品質を向上させるために290~310°Cの高温で成長させることが必要であると指摘する。一方,ZnSeシェルの成長は,十分低い温度で実施することが必要であり,反応溶媒中への前駆体のCdSコア及びZn²⁺とSe^2-イオンの注入速度は可能な限り迅速である必要が有る。これらの条件はZnSeシェル成長中にCdSコアの溶解及びCdS/CdSeまたはCdS/(Cd,Zn)-(S,Se)/ZnSeなどの他の構造タイプの形成を抑制するために必要である。著者らはまた,II型CdS/ZnSeのコア/シェルヘテロ構造の成功した製作を同定するために,典型的な特徴を示すが,それは紫外可視吸収スペクトルのテールの特徴,励起パワーへの立方根のPLピークエネルギーの線形依存性及び発光ピークの長い寿命に基づいている。これらの特徴に加えて,フォノン振動スペクトルの研究も必要である。励起エネルギーへの発光エネルギーの依存性を検討し,著者らは,CdSコア上に被覆されたZnSeシェルの最適な厚さを見出した。この厚さ以外に,CdSのコアとZnSeのシェルとの間のキャリアの空間的分離が大幅に減少する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *セレン化亜鉛 ,  *素子構造 ,  *紫外可視吸収スペクトル ,  *光ルミネセンス ,  *Raman散乱 ,  湿式法 ,  イオン注入 ,  フォノン ,  振動スペクトル ,  励起エネルギー ,  発光 ,  キャリア ,  化合物半導体 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： *ヘテロ構造

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： 1-オクタデセン

タイトルに関連する用語 (8件)： CdS ,  ZnSe ,  コア ,  シェル ,  ヘテロ構造 ,  光ルミネセンス ,  Raman散乱 ,  研究