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J-GLOBAL ID:201502204504364580   整理番号:15A1208040

Cz-Siウエハを用いたa-Siの不動態化:低速度堆積したHフィルム【Powered by NICT】

PASSIVATION OF Cz-Si WAFERS WITH a-Si: H FILMS DEPOSITED AT LOW RATE
著者 (4件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 529-533  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0629A  ISSN: 0254-0096  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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本論文では,PECVD法による低蒸着速度でi a-Si:H膜は,n型Cz-Siウエハ(40 mm×40 mm)を不動態化する両面に使用されている。最良の不動態化されたウエハの寿命の平均値は889μs,局所最大約1600μsである。最良の不動態化されたウエハの平均意味V(Voc)は722mVであった。はa-Si:H膜のSiH_2/SiH結合の比を,FTIRスペクトルの解析から不動態化効果に大きな影響を及ぼすことが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  太陽エネルギー利用機器 

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