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J-GLOBAL ID：201502204520279540   整理番号：15A0445031

有機金属性二量体:仕事関数低下導電性酸化物

Organometallic Dimers: Application to Work-Function Reduction of Conducting Oxides

著者 (9件)： GIORDANO Anthony J. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  PULVIRENTI Federico (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  KHAN Talha M. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  FUENTES-HERNANDEZ Canek (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  MOUDGIL Karttikay (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  DELCAMP Jared H. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  KIPPELEN Bernard (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  BARLOW Stephen (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  MARDER Seth R. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 7  ページ： 4320-4326  発行年： 2015年02月25日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 洗剤/溶媒クリーニングしたITO(DSC-ITO),酸素プラズマ処理したIしたZnO(ALD-ZnO),あるいは市販ガラス/Ti/Auを,[IrCp^*Cp]₂,[RuCp^*mes₂,またはテトラキス(ジメチルアミノ)エチレン(TDAE)のトルエン溶液に浸漬/乾燥(または[IrCp^*Cp]₂濃厚トルエン溶液のドロップキャスティング)し,有機金属性二量体処理前後の基板の仕事関数(WF)と電導バンドからのイオン化開始に対応するFermi準位のエネルギを紫外線電子分光(UPS:21.2eV HeI励起)で求めた。DSC-ITOのWF(4.6eV)は[IrCp^*Cp]₂処理で3.3eVに低下し,エトキシル化ポリエチレンイミン(PEIE)溶液沈着のときと同程度であった。[IrCp^*Cp]₂トルエン溶液浸漬でITO,ZnO,Au電極はいずれも3.3~3.4eVにWFが低下し(ΔWF=-1.3~-1.6eV),TDAEトルエン溶液浸漬のときのWF変化(-0.7eV)を上回りPEIEのスピンコート電極と同程度になった。XPSから,Ir修飾後二量体の2本のピークと高エネルギシフトした2本のカチオンバンドを認めた。Ir二量体と電極間のレドックス反応によりできたIrCp^*Cp⁺カチオンのサブモノレイヤが-帯電した基板上に生成し,界面双極子により電子の真空レベル(E_vac)が低下したのがWF低下の主原因であった。IrまたはRu二量体修飾ITO/C₆₀/MoO_x/Agデバイスの電流電圧特性でIr修飾,Ru修飾品ともにPEIE修飾ITO電極と同程度の大きい電流密度を示すようになった。

シソーラス用語： *電極 ,  *イリジウム錯体 ,  *ルテニウム錯体 ,  *シクロペンタジエニル錯体 ,  *二量体 ,  *仕事関数 ,  Fermi準位 ,  X線光電子分光法 ,  光電子分光法 ,  キャリア注入 ,  ポリエチレンイミン ,  電流電圧特性 ,  電流密度
準シソーラス用語： *ITO電極 ,  電子注入

分類 (3件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  有機白金族化合物  (CF09058L)

物質索引 (1件)： 1,2,3,4,5-ペンタメチル-5-(2,4-シクロペンタジエニル)-1,3-シクロペンタジエン

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属 ,  二量体 ,  仕事関数 ,  導電性酸化物